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如何避免扫描电镜成像中的充电效应?

日期:2023-08-21

扫描电镜成像中的充电效应是指由于电子束与样品相互作用产生的表面电荷积累,从而导致成像问题,如图像失真、形变、模糊等。为了避免或减轻充电效应,可以采取以下策略:

导电涂层:在样品表面涂覆一层薄的导电涂层,如金属或碳。这可以帮助将电荷引导到地,减少电荷积累。

真空处理:将样品置于真空环境中,可以减少气体分子与电子束相互作用,从而减轻充电效应。

低电子束电压:使用较低的电子束加速电压可以减少电子束与样品表面相互作用的能量,减少电荷积累。

电子束漂移校正:现代SEM设备通常配备了电子束漂移校正功能,可以实时调整电子束的位置,以平衡表面电荷。

地线连接:将样品夹持到带有地线的支架上,以便将电荷引导到地。

离子束中和:在SEM之前,使用离子束在样品表面扫描,可以中和表面的电荷积累。然而,这可能会对样品造成损伤。

防静电探测器:部分SEM设备配备了防静电探测器,用于监测和补偿表面电荷,减轻充电效应的影响。

低真空环境:使用低真空模式(如气氛下或者水蒸气环境下)进行成像,可以减轻电子束与气体分子相互作用产生的电荷。

适当的扫描速度和时间:调整电子束的扫描速度和停留时间,可以减少电子束在一个特定位置停留的时间,减少电荷积累。

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作者:泽攸科技