众所周知，忆阻器的电阻值可以通过电场进行调节，这类材料在未来计算机架构以及大规模计算领域发挥重要作用。随着这一领域研究的推进，人们陆续提出了几种调节机制来解释这一现象，但是由于缺乏直接证据，该现象的微观物理机制一直都不明确。

近日，武汉理工大学利用原位透射电子显微镜技术观测了Cu2Se半导体在电场作用下电阻和取向畴的可逆切换，在施加电场的同时利用透射和衍射成像监测微观结构的原位演变过程，从而提供了阻变特性演变规律的直接证据。相关研究成果以“Electroresistance in multipolar antiferroelectric Cu2Se semiconductor”为题发表在国际学术期刊Nature Communications上。博士生白辉和吴劲松教授为本文共同一作，吴劲松教授、苏贤礼研究员和唐新峰教授为共同通讯作者。

原文链接：https://doi.org/10.1038/s41467-021-27531-x

图1 实验方法

‍    该实验利用泽攸科技的PicoFemto®原位TEM-STM电学测量系统在透射电镜内搭建了测试平台，实验样品被制备在半铜环上并固定在样品杆一端。进入电镜后，原位杆上的机械手在纳米尺度准将电极与样品ZHI定位置对接上并施加电场/电流，同时原位高分辨观测微观结构的演变过程。

图2 微观结构与物性测量的对应关系 

图3  原子像

图4 实验中泽攸科技原位样品杆

以上就是泽攸科技对Nature子刊：武汉理工大学发现用于忆阻器的多极反铁电半导体Cu2Se，关于整套系统价格请咨询18817557412(微信同号)