在扫描电子显微镜（SEM）中，通常只能看到样品的表面结构，因为SEM主要依赖表面电子的相互作用来产生图像。然而，通过某些方法，可以间接检测或推测样品的次表面结构。以下是几种常见的技术和方法：

1. 背散射电子成像 (BSE)

背散射电子 (Backscattered Electrons, BSE) 是入射电子与样品原子核发生弹性散射后反射出来的高能电子。由于背散射电子的穿透深度比二次电子（SE）更大，它可以提供一定的次表面信息。尤其对于不同原子序数的材料，背散射电子成像对次表面层的原子序数差异非常敏感。因此，可以使用BSE成像来观察材料内部的成分变化和次表面结构的分布。

应用场景：

多层材料中的不同成分分布。

相对较深（几百纳米以内）次表面层的结构变化。

2. X射线能谱 (EDS)

虽然X射线能谱 (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy, EDS) 主要用于化学成分分析，但X射线的激发深度通常大于二次电子。因此，EDS探测到的信号不仅来自表面，还能提供来自样品一定深度的信息。通过分析不同元素在样品中的分布，可以推断出次表面的元素层和结构变化。

应用场景：

材料中不同层的化学组成。

多层复合材料中次表面层的化学分布。

3. 电子束诱导电流 (EBIC)

电子束诱导电流 (Electron Beam Induced Current, EBIC) 技术适用于半导体材料的次表面结构探测。当电子束照射半导体样品时，它会激发样品中的电子-空穴对，形成电流信号。通过EBIC，可以检测次表面区域中的晶界、缺陷和局部导电性变化。这种方法适用于研究半导体材料和器件的内部结构。

应用场景：

半导体器件的结区结构、缺陷和杂质分布。

次表面电学特性变化。

4. 电子束损伤（电子穿透）

对于较薄的样品，高能电子束可以穿透表面到达次表面并引发次表面的结构变化。如果使用高能量的电子束，表面层可能会受损，导致暴露出次表面结构。这种方法不适合所有样品，但对于薄膜材料和某些微观结构，可以用来研究次表面层。

应用场景：

薄膜材料中的次表面结构。

通过电子束诱导破损来揭示层状结构。

5. 离子束辅助横截面分析 (FIB/SEM)

使用聚焦离子束 (Focused Ion Beam, FIB) 技术可以精确地剥离样品的表层，暴露次表面结构。FIB-SEM结合技术可以在精确切割样品的同时，使用SEM观察每个切片，从而逐层分析样品的内部结构。这种方法被广泛应用于样品的横截面分析和次表面结构的三维重建。

应用场景：

多层膜、薄膜结构的次表面观测。

三维结构的重构与分析。

6. 透射电子显微镜 (TEM)

虽然不是SEM的一部分，但透射电子显微镜 (Transmission Electron Microscopy, TEM) 是研究次表面结构直接的工具。TEM通过高能电子束穿透薄样品，可以提供纳米级的次表面分辨率图像。利用FIB切割制备超薄样品后，结合TEM进行次表面分析，是观察纳米级次表面结构的强大工具。

应用场景：

纳米结构材料的次表面分析。

原子级分辨率的晶体结构和缺陷分析。

以上就是泽攸科技小编分享的如何检测扫描电镜SEM样品中的次表面结构。更多扫描电镜产品及价格请咨询15756003283(微信同号)。